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1. c13时序
根据武汉市轨道交通线网规划修编（2014-2049），13号线规划起于汉口古田，经长丰、新华路、汉正街、南湖、南湖大道、光谷火车站至光谷中心城，全长约46公里。目前，该线路处于线网规划阶段，具体开竣工时间尚未明确，建设时序和建设规模正在研究论证中。 2017年，武汉轨道交通13号线已经启动工程设计。
2. c16时序
1、理论上，同频率下，c16和c18差距在1%左右。
2、不过amd的平台对于内存时序要求较高，所以差距可能会到3%。
3、但是影响内存性能的不仅有频率、时序，还有一些其他因素。
4、因此实际在使用的过程中，由于综合了各方面参数，c16和c18体感上几乎没有差。
5、直观的差别主要会体现在跑分上面，c16的内存在跑分时会比c18的时序高上100分左右。
c16内存还有容量、内存颗粒、频率、定时等更重要的参数。频率越高，内存条定时越低越好，c14粒子越能在较低的定时超过较高的频率，c16比如好的粒子在3200MHZ的c16定时很容易被拉到4000MHZ，是什么粒子几乎只能在c18被拉到4000，c18如果再差，意思就不能直接拉到。
3. c14时序
1、时序不同
c14和c18性能就是响应时间不同，单位为时钟周期。
2、性能不同
c14和c18性能其他条件相同的情况下，数字越小性能越好。
3、价格不同
c14和c18性能其他条件相同的情况下，数字越小价格越高。
4、颗粒不同
c14和c18性能内存中使用的颗粒不同，数字越小颗粒越好，超频的潜力越高。
5、间距不同
c14和c18性能是卡槽间距不一样。
4. c13时序是多少
一种参数，一般存储在内存条的SPD上。2-2-2-8 4个数字的含义依次为：CAS Latency（简称CL值）内存CAS延迟时间，他是内存的重要参数之一，某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上。RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间。Row－precharge Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间。Row－active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟。这是玩家最关注的4项时序调节，在大部分主板的BIOS中可以设定，内存模组厂商也有计划的推出了低于JEDEC认证标准的低延迟型超频内存模组，在同样频率设定下，最低“2-2-2-5”这种序列时序的内存模组确实能够带来比“3-4-4-8”更高的内存性能，幅度在3至5个百分点。
在一些技术文章里介绍内存设置时序参数时，一般数字“A-B-C-D”分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”，现在你该明白“2-3-3-6”是什么意思了吧？！^_^下面就这几个参数及BIOS设置中影响内存性能的其它参数逐一给大家作一介绍：
一、内存延迟时序“CL-tRCD-tRP-tRAS”的设置
首先，需要在BIOS中打开手动设置，在BIOS设置中找到“DRAM Timing Selectable”，BIOS设置中可能出现的其他描述有：Automatic Configuration、DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，将其值设为“Menual”（视BIOS的不同可能的选项有：On/Off或Enable/Disable），如果要调整内存时序，应该先打开手动设置，之后会自动出现详细的时序参数列表：
Command Per Clock(CPC)
可选的设置：Auto，Enable(1T)，Disable(2T)。
Command Per Clock(CPC：指令比率，也有翻译为：首命令延迟)，一般还被描述为DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR内存的寻址，先要进行P-Bank的选择（通过DIMM上CS片选信号进行），然后才是L-Bank/行激活与列地址的选择。这个参数的含义就是指在P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的L-Bank/行激活命令，单位是时钟周期。
显然，也是越短越好。但当随着主板上内存模组的增多，控制芯片组的负载也随之增加，过短的命令间隔可能会影响稳定性。因此当你的内存插得很多而出现不太稳定的时间，才需要将此参数调长。目前的大部分主板都会自动设置这个参数。
该参数的默认值为Disable(2T)，如果玩家的内存质量很好，则可以将其设置为Enable(1T)。
CAS Latency Control(tCL)
可选的设置：Auto，1，1.5，2，2.5，3，3.5，4，4.5。
一般我们在查阅内存的时序参数时，如“3-4-4-8”这一类的数字序列，上述数字序列分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。这个3就是第1个参数，即CL参数。
CAS Latency Control(也被描述为tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay)，CAS latency是“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”。CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。因为CAS主要控制十六进制的地址，或者说是内存矩阵中的列地址，所以它是最为重要的参数，在稳定的前提下应该尽可能设低。
内存是根据行和列寻址的，当请求触发后，最初是tRAS（Activeto Precharge Delay），预充电后，内存才真正开始初始化RAS。一旦tRAS激活后，RAS（Row Address Strobe ）开始进行需要数据的寻址。首先是行地址，然后初始化tRCD，周期结束，接着通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址。期间从CAS开始到CAS结束就是CAS延迟。所以CAS是找到数据的最后一个步骤，也是内存参数中最重要的。
这个参数控制内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令。同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要的时钟周期数。这个参数越小，则内存的速度越快。必须注意部分内存不能运行在较低的延迟，可能会丢失数据，因此在提醒大家把CAS延迟设为2或2.5的同时，如果不稳定就只有进一步提高它了。而且提高延迟能使内存运行在更高的频率，所以需要对内存超频时，应该试着提高CAS延迟。
该参数对内存性能的影响最大，在保证系统稳定性的前提下，CAS值越低，则会导致更快的内存读写操作。CL值为2为会获得最佳的性能，而CL值为3可以提高系统的稳定性。注意，WinbondBH-5/6芯片可能无法设为3。
RAS# to CAS# Delay(tRCD)
可选的设置：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。
该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的第2个参数，即第1个4。RAS# to CAS# Delay(也被描述为：tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD)，表示”行寻址到列寻址延迟时间”，数值越小，性能越好。对内存进行读、写或刷新操作时，需要在这两种脉冲信号之间插入延迟时钟周期。在JEDEC规范中，它是排在第二的参数，降低此延时，可以提高系统性能。建议该值设置为3或2，但如果该值设置太低，同样会导致系统不稳定。该值为4时，系统将处于最稳定的状态，而该值为5，则太保守。
如果你的内存的超频性能不佳，则可将此值设为内存的默认值或尝试提高tRCD值。
Min RAS# Active Timing(tRAS)
可选的设置：Auto，00，01，02，03，04，05，06，07，08，09，10，11，12，13，14，15。
该值就是该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的最后一个参数，即8。Min RAS# Active Time (也被描述为：tRAS、Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time)，表示“内存行有效至预充电的最短周期”，调整这个参数需要结合具体情况而定，一般我们最好设在5－10之间。这个参数要根据实际情况而定，并不是说越大或越小就越好。
如果tRAS的周期太长，系统会因为无谓的等待而降低性能。降低tRAS周期，则会导致已被激活的行地址会更早的进入非激活状态。如果tRAS的周期太短，则可能因缺乏足够的时间而无法完成数据的突发传输，这样会引发丢失数据或损坏数据。该值一般设定为CAS latency + tRCD + 2个时钟周期。如果你的CAS latency的值为2，tRCD的值为3，则最佳的tRAS值应该设置为7个时钟周期。为提高系统性能，应尽可能降低tRAS的值，但如果发生内存错误或系统死机，则应该增大tRAS的值。
如果使用DFI的主板，则tRAS值建议使用00，或者5-10之间的值。
Row Precharge Timing(tRP)
可选的设置：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。
该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的第3个参数，即第2个4。Row Precharge Timing (也被描述为：tRP、RAS Precharge、Precharge to active)，表示”内存行地址控制器预充电时间”，预充电参数越小则内存读写速度就越快。
tRP用来设定在另一行能被激活之前，RAS需要的充电时间。tRP参数设置太长会导致所有的行激活延迟过长，设为2可以减少预充电时间，从而更快地激活下一行。然而，想要把tRP设为2对大多数内存都是个很高的要求，可能会造成行激活之前的数据丢失，不能顺利地完成读写操作。对于桌面计算机来说，推荐预充电参数的值设定为2个时钟周期，这是最佳的设置。如果比此值低，则会因为每次激活相邻紧接着的bank将需要1个时钟周期，这将影响DDR内存的读写性能，从而降低性能。只有在tRP值为2而出现系统不稳定的情况下，将此值设定为3个时钟周期。
如果使用DFI的主板，则tRP值建议2-5之间的值。值为2将获取最高的性能，该值为4将在超频时获取最佳的稳定性，同样的而该值为5，则太保守。大部分内存都无法使用2的值，需要超频才可以达到该参数。
Row Cycle Time(tRC)
可选的设置：Auto，7-22，步幅值1。
Row Cycle Time(tRC、RC)，表示“SDRAM行周期时间”，它是包括行单元预充电到激活在内的整个过程所需要的最小的时钟周期数。
其计算公式是：row cycle time (tRC) = minimum row active time(tRAS) + row precharge time(tRP)。因此，设置该参数之前，你应该明白你的tRAS值和tRP值是多少。如果tRC的时间过长，会因在完成整个时钟周期后激活新的地址而等待无谓的延时，而降低性能。然后一旦该值设置过小，在被激活的行单元被充分充电之前，新的周期就可以被初始化。
在这种情况下，仍会导致数据丢失和损坏。因此，最好根据tRC = tRAS + tRP进行设置，如果你的内存模块的tRAS值是7个时钟周期，而tRP的值为4个时钟周期，则理想的tRC的值应当设置为11个时钟周期。
Row Refresh Cycle Time(tRFC)
可选的设置：Auto，9-24，步幅值1。
Row Refresh Cycle Time(tRFC、RFC)，表示“SDRAM行刷新周期时间”，它是行单元刷新所需要的时钟周期数。该值也表示向相同的bank中的另一个行单元两次发送刷新指令(即：REF指令)之间的时间间隔。tRFC值越小越好，它比tRC的值要稍高一些。
如果使用DFI的主板，通常tRFC的值不能达到9，而10为最佳设置，17-19是建议值。建议从17开始依次递减来测试该值。大多数稳定值为tRC加上2-4个时钟周期。
Row to Row Delay(RAS to RAS delay)(tRRD)
可选的设置：Auto， 0-7，每级以1的步幅递增。
Row to Row Delay，也被称为RAS to RAS delay (tRRD)，表示”行单元到行单元的延时”。该值也表示向相同的bank中的同一个行单元两次发送激活指令(即：REF指令)之间的时间间隔。tRRD值越小越好。
延迟越低，表示下一个bank能更快地被激活，进行读写操作。然而，由于需要一定量的数据，太短的延迟会引起连续数据膨胀。于桌面计算机来说，推荐tRRD值设定为2个时钟周期，这是最佳的设置，此时的数据膨胀可以忽视。如果比此值低，则会因为每次激活相邻紧接着的bank将需要1个时钟周期，这将影响DDR内存的读写性能，从而降低性能。只有在tRRD值为2而出现系统不稳定的情况下，将此值设定为3个时钟周期。
如果使用DFI的主板，则tRRD值为00是最佳性能参数，4时能达到最高的频率。通常2是最合适的值，00看上去很奇怪，但有人也能稳定运行在00-260MHz。
Write Recovery Time(tWR)
可选的设置：Auto，2，3。
Write Recovery Time (tWD)，表示“写恢复延时”。该值说明在一个激活的bank中完成有效的写操作及预充电前，必须等待多少个时钟周期。这段必须的时钟周期用来确保在预充电发生前，写缓冲中的数据可以被写进内存单元中。同样的，过低的tWD虽然提高了系统性能，但可能导致数据还未被正确写入到内存单元中，就发生了预充电操作，会导致数据的丢失及损坏。
如果你使用的是DDR200和266的内存，建议将tWR值设为2；如果使用或DDR400，则将tWD值设为3。如果使用DFI的主板，则tWR值建议为2。
Write to Read Delay(tWTR)
可选的设置：Auto，1，2。
Write to Read Delay (tWTR)，表示“读到写延时”。三星公司称其为“TCDLR (last data in to read command)”，即最后的数据进入读指令。它设定向DDR内存模块中的同一个单元中，在最后一次有效的写操作和下一次读操作之间必须等待的时钟周期。
tWTR值为2在高时钟频率的情况下，降低了读性能，但提高了系统稳定性。这种情况下，也使得内存芯片运行于高速度下。换句话说，增加tWTR值，可以让内容模块运行于比其默认速度更快的速度下。如果使用DDR266或DDR333，则将tWTR值设为1；如果使用DDR400，则也可试着将tWTR的值设为1，如果系统不稳定，则改为2。
Refresh Period(tREF)
可选的设置：Auto， 0032-4708，其步进值非固定。
Refresh Period (tREF)，表示“刷新周期”。它指内存模块的刷新周期。
先请看不同的参数在相同的内存下所对应的刷新周期(单位：微秒，即：一百万分之一秒)。?号在这里表示该刷新周期尚无对应的准确数据。
1552= 100mhz 2064= 133mhz 2592= 166mhz 3120= 200mhz ———————
3632= 100mhz 4128= 133mhz
4672= 166mhz
0064= 200mhz
———————
0776= 100mhz 1032= 133mhz 1296= 166mhz 1560= 200mhz
———————
1816= 100mhz 2064= 133mhz 2336= 166mhz 0032= 200mhz ———————
0388= 100mhz(15.6us)
0516= 133mhz(15.6us)
0648= 166mhz(15.6us)
0780= 200mhz(15.6us)
———————
0908= 100mhz(7.8us)
1032= 133mhz(7.8us)
1168= 166mhz(7.8us)
0016= 200mhz(7.8us)
———————
1536= 100mhz(3.9us)
2048= 133mhz(3.9us)
2560= 166mhz(3.9us)
3072= 200mhz(3.9us)
———————
3684= 100mhz(1.95us)
4196= 133mhz(1.95us)
4708= 166mhz(1.95us)
0128= 200mhz(1.95us)
如果采用Auto选项，主板BIOS将会查询内存上的一个很小的、名为“SPD”(Serial Presence Detect )的芯片。SPD存储了内存条的各种相关工作参数等信息，系统会自动根据SPD中的数据中最保守的设置来确定内存的运行参数。如过要追求最优的性能，则需手动设置刷新周期的参数。一般说来，15.6us适用于基于128兆位内存芯片的内存（即单颗容量为16MB的内存），而7.8us适用于基于256兆位内存芯片的内存（即单颗容量为32MB的内存）。注意，如果tREF刷新周期设置不当，将会导致内存单元丢失其数据。
另外根据其他的资料显示，内存存储每一个bit，都需要定期的刷新来充电。不及时充电会导致数据的丢失。DRAM实际上就是电容器，最小的存储单位是bit。阵列中的每个bit都能被随机地访问。但如果不充电，数据只能保存很短的时间。因此我们必须每隔15.6us就刷新一行。每次刷新时数据就被重写一次。正是这个原因DRAM也被称为非永久性存储器。一般通过同步的RAS-only的刷新方法（行刷新），每行每行的依次刷新。早期的EDO内存每刷新一行耗费15.6us的时间。因此一个2Kb的内存每列的刷新时间为15.6?s x2048行=32ms。
5. C12时序
大概配置为i7 10700f搭配550w及以上电源，16G内存，500g固态。
配置与说明：
一、CPU：
i7 10700f
8核心16线程，最大全核睿频为4.6Ghz。
在1.25v左右的电压下，功耗不到180w
在1.2v以内的电压下，功耗不到150w
二、主板：
1.微星B460M MORTAR
微星B460M迫击炮：PWM供电芯片为RT3609BE。因为其供电使用的MOS管很好，布局也很不错，实际供电能力非常好
网卡为瑞昱RTL8125，音频芯片为瑞昱ALC1200
IO接口：两个USB2.0接口，三个USB3.0接口，一个DP接口，一个HDMI接口，一个Type-C接口，一个2.5G网口，还有六个音频接口和一个光纤接口。
2.华硕B460M PRO
华硕B460M PRO：PWM供电芯片为ASP19008（华硕特别定制）。
网卡芯片是瑞昱 RTL8125，音频芯片为瑞昱 S1200A
IO接口：两个USB 2.0接口，4个USB 3.1Gen1接接口，一个HDMI接口和一个DP接口，还有一个2.5Gb网口和5个常规的音频接口。
（备注：Realtek中文名为瑞昱，因为其标注像螃蟹，又被叫做小螃蟹）
最好能买板U套装
三、内存：
1.光威弈PRO DDR4 3000 8G两条
光威弈PRO全系列都是采用的国产长鑫颗粒内存，不论是2666频率还是3000频率。
2.科赋 雷霆 DDR4 3200 8G×2
科赋雷霆3200频率基本为海力士CJR颗粒，不论是单8G还是单16G。（建议降频降时序使用）
四、固态：
1.西数sn750 500G
SN750，读3400MB/S 写2600MB/S，闪存颗粒采用的闪迪05560，64层3D TLC闪存。性能强劲，没大的短板，旗舰价固态中价格最低，性价比高。
2.西数sn550 1T（闪迪至尊高速）
sn550 1T，读2400MB/S 写1950MB/S，闪存颗粒采用的闪迪96层堆叠TLC 3D NAND颗粒。性价比非常高的一块1T NVME固态（闪迪至尊高速与sn550互为换皮）
五、电源：
1.振华铜皇550w
振华铜皇550w。其用料为：TEAPO电容，德国英飞凌MOS管，日本富士通继电器。
风扇：12cm直径7叶片规格，噪音也很小。
2.鑫谷GP700P
鑫谷GP700P。其用料为：台系CapXon丰宾主电容，日系TDK主电感，德国英菲克MOS管。
风扇：12cm直径液压轴承风扇。
3.长城G6
长城G6。其大致用料为：台系主电容，日系固态电容。
风扇：14cm风扇。
六、机箱：
先马鲁班1
机箱钢板厚度大于0.6mm。
后置120机箱风扇位，有7条PCI挡板。
散热器限高165mm，支持360水冷。
七、散热：
利民PA120
6热管双塔散热器，支持AMD英特尔双平台，全金属扣具，带顶盖，双C12风扇。标配TF7硅脂。
散热器高度为157mm。
6. C19时序
内存条c19时序算高的了。
比如，c17,c19都代表着内存条的时序，时序为内存的响应延迟，数字肯定是越低越好，内存条频率为4000的应该选c17。
7. 时序c19和c16
上台花园预售许可证预售许可证预售许可证预售范围
长房售证(2013)第075号C21栋,C10栋
长房售证(2013)第069号C17,C18,C16,C19
长房售证(2011)第259号C11栋,C13栋,C15栋
长房售证(2011)第161号C6栋,C7栋,C12栋,C20栋
长房售证(2011)第026号A6,B15
长房售证(2010)第180号A1,A10,A12,A2,A4,A7,A9,B10,B11,B12,B13,B14,B16,B18,B5,B8,B9
长房售证(2010)第129号A11,A5,A8,B17
这个是上台花园的预售证，由此可以看出该小区是大产权房，五证齐全，在房管局是有备案的。你可以放心的购买！
8. c15时序和c16时序
1）许可事项的变更：指经营方式、经营范围、注册地址、仓库地址（包括增减仓库）、企业法定代表人或负责人以及质量负责人的变更；
（2）登记事项的变更：指上述事项以外其他事项的变更，如企业名称的变更；
二、审批条件
（一）符合以下法律法规规定；
（1）《中华人民共和国药品管理法实施条例》第十六条；
（2）《药品经营许可证管理办法》（局令第6号）；
（3）新修订《药品经营质量管理规范》。
（二）药品经营企业变更《药品经营许可证》许可事项的，应当在原许可事项发生变更30日前，内向原发证机关申请《药品经营许可证》变更登记。未经批准，不得变更许可事项；变更《药品经营许可证》的登记事项的，应在《营业执照》核准变更后30日内，向原发证机关申请《药品经营许可证》变更登记。
（三）企业分立、合并、改变经营方式、跨原管辖地迁移，按照《药品经营许可证管理办法》的规定重新办理《药品经营许可证》。
（四）企业因违法经营已被（食品）药品监督管理部门（机构）立案调查，尚未结案的；或已经作出行政处罚决定，尚未履行处罚的，暂停受理其《药品经营许可证》的变更申请。
（五）变更事项为：变更企业名称、法定代表人、企业负责人、质量负责人的，只需提供相关材料。
变更注册地址、经营范围的，还需进行现场核查。
三、受理地点和办事窗口
受理地点：勐腊县新城便民中心（市场监督管理局窗口）
办事窗口：实体政务大厅C厅C13、C14、C15、C16号窗口。
办理时间：星期一至星期五上午8:00-12:00，下午14:30-18:00 。
四、申请材料
基础材料：
1.《药品经营许可证》变更申请表；
2.《药品经营许可证》正本、副本原件及复印件；
3.《营业执照》正、副本复印件；
9. c14时序和c16时序
芝奇ddr4 c14和c16差距不大。具体区别如下：
1、DIE不同：
C14的是B DIE，C16的是E DIE。B DIE超频更好超。
2、时序不同：
C1X代表的是时序，相同频率下时序越低代表体质越好。
3、颗粒不同：
C14是三星B-Die颗粒，C16是E-Die，C14差不多是芝奇的顶级内存了，超频潜力巨大，平台比较好的话可能上4000，c16一般超不动了，普通配置用不到c14。
10. C15时序
这个是单条8GB DDR4-2400内存，时序CL=15。HX424C15FB2/8：HX——HyperX；4——DDR4；24——2400MHz；C15——内存时序CL15；F——应该是指Fury系列内存；8——容量8GB；B2不知道是什么意思，也许是指2个内存BANK。
11. c17的时序
内存条c17时序一般水平。
1.时序越低，性能越好。
2、不同的时间序列，即不同的响应时间，是以时钟周期为单位的。
3、性能不同，其他条件不变，数字越小，性能越好。